在国家大力支持半导体产业发展的背景下，中国半导体存储基地于2016年开始建设。随着半导体行业的快速发展，我国存储芯片的应用场景不断扩大。目前，我国存储芯片在各个领域的应用正处于发展的初级阶段，能够成熟相关存储芯片产品应用的企业数量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市场被韩国、日本、美国企业所占据。

　　1、中国存储芯行业起步较晚，技术基础薄弱

　　中国的存储芯片发展较晚。2016年之前，行业几乎没有产能，存储芯片极度依赖进口。面对外资企业在存储芯片行业的垄断优势，中国近年来开始大举投资存储芯片行业。经过几年的发展，逐渐取得了一些成绩。

　　目前，中国大陆地区企业在相关领域的市场份额仍然较低，通过国家政府层面的大规模投资，有机会快速切入相关领域，是芯片国产化的可靠而重要的一步。

　　存储芯片行业是一个技术密集型行业。中国存储芯片行业起步较晚，缺乏积累的技术经验。虽然我国本土的企业已经逐步完善了NAND和DRAM行业的布局，但每一款存储芯片产品还处于生产初期，尚未实现量产。与国外存储芯片厂商相比，我国存储芯片技术基础薄弱，是制约行业发展的主要因素。

　　以3DNAND存储器为例，三星、海力士通过不断开发创新，改进数据存储单元结构，增加单元存储容量，开发生产了176层3DNAND。国内于2020年推出128层QLC 3D NAND闪存。可以看出，与国外领先的3D NAND企业相比，我国的存储技术与国外企业还有一定差距，我国的3D  NAND技术基础相对薄弱。

　　2、中国存储芯片市场波动上升，NAND Flash和DRAM为主要产品

　　在“互联网+”的背景下，智能手机的功能逐渐多样化，覆盖了许多应用领域，促使市场不断提高智能手机的存储空间要求，以满足消费者使用移动互联网的体验。2016年后，中国智能手机等消费电子应用市场的快速扩张，推动了存储芯片市场需求的快速释放。

　　2014年至2019年，中国存储芯片市场规模从1274亿元增长到2697亿元，复合年增长率为16.18%。预计2020年市场规模将超过3000亿元。

　　目前存储芯片市场以NAND Flash和DRAM为主。2019年，中国NAND Flash产品销售额占总市场规模比重约为42%，占全球NAND Flash市场销售额37%;2019年中国DRAM产品销售额占总市场规模比重约为55%，占全球DRAM市场34%。

　　3、中国存储芯片市场由国外企业垄断，国内厂商奋力追赶

　　存储芯片是一个高度垄断的市场，三星、SK海力士、美光，合计占据全球DRAM市场95%左右的份额，NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。

　　从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距。