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2021 - 05 - 31
在国家大力支持半导体产业发展的背景下,中国半导体存储基地于2016年开始建设。随着半导体行业的快速发展,我国存储芯片的应用场景不断扩大。目前,我国存储芯片在各个领域的应用正处于发展的初级阶段,能够成熟相关存储芯片产品应用的企业数量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市场被韩国、日本、美国企业所占据。  1、中国存储芯行业起步较晚,技术基础薄弱  中国的存储芯片发展较晚。2016年之前,行业几乎没有产能,存储芯片极度依赖进口。面对外资企业在存储芯片行业的垄断优势,中国近年来开始大举投资存储芯片行业。经过几年的发展,逐渐取得了一些成绩。  目前,中国大陆地区企业在相关领域的市场份额仍然较低,通过国家政府层面的大规模投资,有机会快速切入相关领域,是芯片国产化的可靠而重要的一步。  存储芯片行业是一个技术密集型行业。中国存储芯片行业起步较晚,缺乏积累的技术经验。虽然我国本土的企业已经逐步完善了NAND和DRAM行业的布局,但每一款存储芯片产品还处于生产初期,尚未实现量产。与国外存储芯片厂商相比,我国存储芯片技术基础薄弱,是制约行业发展的主要因素。  以3DNAND存储器为例,三星、海力士通过不断开发创新,改进数据存储单元结构,增加单元存储容量,开发生产了176层3DNAND。国内于2020年推出128层QLC 3D NAND闪存。可以看出,与国外领先的3D NAND...
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2021 - 06 - 23
集成电路制造是集成电路产业的关键环节,集成电路制造技术的突破直接关系到我国集成电路的自给自足。近年来,外国对中国集成电路行业的制裁,促使中国不断突破集成电路制造技术,寻找出路。随着中国集成电路产业的不断发展,2020年中国集成电路制造业市场规模达到2560亿元,产量达到2614.7亿件。  1、集成电路制造是推动国家信息化和工业化融合的关键  集成电路制造属于集成产业产业链的中游,是当前国民经济和社会发展的战略性、基础性、主导性产业,是转变经济发展方式、调整产业结构、保障国家安全的重要支撑。集成电路制造业的发展直接关系到我国科技、军事等领域的发展趋势。因此,集成电路制造业对中国综合国力的发展尤为重要。  2、国家高度重视集成电路制造业的发展  ——国家不断对集成电路制造行业进行扶持  1958年以来,中国将集成电路制造技术的发展提升到国家建设水平;1978年,通过改革开放,国家投资13亿元,扶持24家企业从国外引进33条先进生产线;自2000年以来,中国从财税、投融资、研发、人才培养等方面对中国集成电路制造业给予了支持,促进了中国集成电路制造业的快速发展。  ——大基金一期重视集成电路制造行业的发展  全国集成电路产业投资基金(以下简称“大基金”)于2014年9月24日正式成立。大型基金是专门为我国集成电路产业的发展而设立的,旨在为集成电路产业的发展提供良好的金融支持。  在大基金...
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2021 - 07 - 29
近日,由于台风的影响,河南郑州成为全社会关注的焦点。“千年一遇”暴雨过后,我们不仅要关注抢险救灾形势,更要关注后续重建、健康安全、食品安全、饮水安全等各种问题的防治。  目前,暴雨的影响已经开始显现。如何处理污水垃圾,看郑州的基础设施工作是否经得起考验。  近年来,郑州污水处理能力和垃圾处理能力快速提升,成绩毋庸置疑。  据悉,随着新区和双桥两座污水处理厂的投产,郑州市拥有8座现代化污水处理厂和4座污泥处理厂,污水处理能力达245万吨/日。“十三五”期间,污水得到充分收集处理,基本建成与城市发展相匹配的污水处理系统。  此外,污水处理厂每天可生产200多万吨再生水,与已建成的160多公里再生水供水线路相连。2020年,再生水量已达到近3.8亿吨。“十四五”期间,郑州规划加快新区二期、南曹一期、马头岗厂外中水管道等重点项目建设,预计日新增污水处理能力45万吨。  在这个特殊时期,很多人关心水处理业务的发展。  郑州市污水净化公司表示,已迅速启动防汛应急预案,配备重组后的防汛物资,认真排查污水井和水位线,指导防汛排险,确保西北城区污水进排水稳定达标,确保各项任务稳定开展。  虽然突如其来的暴雨造成了一些相关基础设施的破坏或故障,但“内幕消息”终究还是存在的。郑州方面表示,垃圾量较大,垃圾处理厂的工作尚未完全恢复,因此处理速度较慢。针对这些问题,郑州在《关于做好汛后环卫防疫消杀工作的紧急...
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型号:
时间: 2018 - 11 - 20
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢重量-RBRD17   4Kg (取决于过程连接)供电电压两线制标准型(16~26)V DC本安型(21.6~26.4)V DC功耗max22.5mA/0.5W允许纹波  - -(100~100K)Hz     Uss电缆参数电缆入口/插头1个M20×1.5电缆入口(电缆直径5~9mm)一个盲堵M20×1.5接线端子   导线横截面2.5mm2输出参数 输出信号/通讯协议(4~20)mA/HART / RS485/Modbus分辨率1.6uA故障信号电流输出不变;20.5mA;22mA;3.9mA结构尺寸(单位mm)表壳尺寸——RBRD17两线制负载电阻图 ● 特征参数 盲区天线末端最大测量距离RBRD17  30米 微波频率 26GHz通讯接口HART通讯协议/Modbus通讯协议测量间隔大约1秒(取决于参数设置)调整时间大约...
型号:
时间: 2018 - 11 - 20
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢重量-RBRD18   5Kg (取决于过程连接)供电电压两线制标准型(16~26)V DC本安型(21.6~26.4)V DC功耗max22.5mA/0.5W允许纹波  - -(100~100K)Hz     Uss电缆参数电缆入口/插头1个M20×1.5电缆入口(电缆直径5~9mm)一个盲堵M20×1.5接线端子   导线横截面2.5mm2输出参数 输出信号/通讯协议(4~20)mA/HART / RS485/Modbus分辨率1.6uA故障信号电流输出不变;20.5mA;22mA;3.9mA结构尺寸(单位mm)表壳尺寸——RBRD18两线制负载电阻图 ● 特征参数 盲区天线末端最大测量距离RBRD18  70米(固体型)微波频率 26GHz通讯接口HART通讯协议/Modbus通讯协议测量间隔大约1秒(取决于参数设置)调整时间大约1...
型号:
时间: 2018 - 11 - 17
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢重量-RBRD12-F   2Kg (取决于过程连接)供电电压两线制标准型(16~26)V DC本安型(21.6~26.4)V DC功耗max22.5mA/0.5W允许纹波  - -(100~100K)Hz     Uss电缆参数电缆入口/插头1个M20×1.5电缆入口(电缆直径5~9mm)一个盲堵M20×1.5接线端子   导线横截面2.5mm2输出参数 输出信号/通讯协议(4~20)mA/HART / RS485/Modbus分辨率1.6uA故障信号电流输出不变;20.5mA;22mA;3.9mA结构尺寸(单位mm)表壳尺寸——RBRD12-F两线制负载电阻图 ● 特征参数 盲区天线末端最大测量距离RBRD12-F  30米微波频率 26GHz通讯接口HART通讯协议/Modbus通讯协议测量间隔大约1秒(取决于参数设置)调整时间大约...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围缆式:0-30m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ½'NPT(&#...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围0-6m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ½'NPT( ...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围0-30m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ½'NPT( ...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围缆式:0-30m;杆式、同轴管式:0-6m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围缆式:0-30m;杆式、同轴管式:0-6m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ...
型号:
时间: 2018 - 12 - 12
外壳外壳和外壳盖之间的密封硅橡胶外壳视窗聚碳酸酯接地端子不锈钢技术参数    工作频率100MHZ-1.8GHZ测量范围缆式:0-30m;杆式、同轴管式:0-6m重复性±2mm分辨率1mm采样回波采样 55 次 /s响应速度0.2S(根据具体使用情况而定) 输出电流信号4-20mA精度±3mm通讯接口HART 通讯协议过程连接G1'A/G1½'A 螺纹法兰 DN50,DN80,DN100,        DN150,DN200,DN250过程压力-0.1-4MPa电源24VDC(±10%), 纹波电压:1Vpp 耗电量:max 22.5mA环境条件温度 -40℃~ +70℃外壳防护/防爆等级IP67 / Exd  IIC T4 Gb两线制接线仪表供电和信号输出共用一根两芯屏蔽电缆线电缆入口2 个 M20*1.5 或 ...
产品名称: RBRD61 200℃高温
型号:
时间: 2019 - 06 - 27
型号:
时间: 2019 - 06 - 26
型号:
时间: 2019 - 06 - 27
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