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2024 - 08 - 07
雷达料位计在电厂中的应用∵火力发电厂原料仓(煤灰)高粉尘和液位计水汽的凝结现象。一直是物/液位测量的重大难题,本文主要详细阐述了RBRDZB-71-6-C雷达料位计针对这一复杂工况提出了解决方案。一.说明我国是个产煤大国,以煤炭为原料的行业比较多。如煤化工,煤制油,煤发电,其中煤发电的主要燃料就是煤,在电厂发电过程中是由煤燃烧水冷壁带动汽轮机发电,最终水变成高温水。煤燃烧变成灰。∴发电厂中的煤水灰监测测量显得尤为重要。标志着发电的稳定性,保证火力电厂的稳定运行。为了提高电厂的发电效率,以及稳定的自动化运行水平,在生产过程中,煤/灰在输送过程中产生的高粉尘,水经过加热流转过程中产生的凝结现象。给测量带来了更高的要求。雷达料液位计RBRDZB-71-6-C可以根据现场的介质,软件自带增益功能,根据现场介质的介电常数系统自动调节。可以穿透高粉尘,以及在水蒸气凝结雷达天线的情况下,依然稳定运行。二.在选择电厂物液位传感器时,需要考虑以下几个因素使用接触式传感器、非接触传感器?接触型重锤料位、导波雷达。非接触型超声波、激光,雷达。都需要一些场景限制。如选择不当,要么维护量大。要么达不到测量效果。例如电厂中的料位测量煤、灰在输送过程中料面形状为不规则性,在进料卸料过程中料面形状为凹凸状并带有大量粉尘。重锤物位计测量。(属于间歇式测量)不间断的利用重锤上下接触测量,精度低,经常出现埋锤断缆现象,...
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2019 - 07 - 08
高 频 雷 达 物 位 计1、产品概述 RBRD16传感器是26G高频雷达式物位测量仪表,测量最大距离可达20米。天线被进一步优化处理,新型快速的微处理器可以进行更高速率的信号分析处理,使得仪表可以用于反应釜、固体料仓等一些复杂的测量条件。●原理雷达物位天线发射较窄的微波脉冲,经天线向下传输。微波接触到被测介质表面后被反射回来再次被天线系统接收,将信号传输给电子线路部分自动转换成物位信号(因为微波传播速度极快,电磁波到达目标并经反射返回接收器这一来回所用的时间几乎是瞬间的)。反26G雷达物位计特点:●天线尺寸小,便于安装;非接触雷达,无磨损,无污染。●几乎不受腐蚀、泡沫影响;几乎不受大气中水蒸气、温度和压力变化影响。●严重粉尘环境对高频物位计工作影响不大。●波长更短,对在倾斜的固体表面有更好的反射。●波束角小,能量集中,增强了回波能力的同时又有利于避开干扰物。●测量盲区更小,对于小罐测量也会取得良好的效果。●高信噪比,即使在波动的情况下也能获得更优的性能。●高频率,是测量固体和低介电常数介质的最佳选择。
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2020 - 03 - 23
我国是一个地域辽阔,工业种类齐全的国家,所以在物位仪表方面需求量很大,导致竞争也很激烈,那么雷达物位计厂家怎么才能获得更多的市场份额呢?1、加大研发力度,开发、生产出高档先进的物位计仪表;2、引进先进的科学技术和管理理念,依靠高质低价取胜;3、注重品牌文化建设,大力打造知名品牌,靠品牌的力量抢占市场份额;您可以通过微信公众号、微信小程序、百度网站搜索、百度知识问答、爱采购网站、阿里巴巴网站、360网站搜索以及各种仪表会展活动等各种途径找到我们北京精诚瑞博仪表有限公司,期待与您相遇!4、采用更加个性化的营销方式,全面利用互联网等新媒体开展企业营销;5、提升售后服务的品质,用最人性化的服务服务广大消费者。
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2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

发布日期: 2021-05-31
浏览人气: 560

  在国家大力支持半导体产业发展的背景下,中国半导体存储基地于2016年开始建设。随着半导体行业的快速发展,我国存储芯片的应用场景不断扩大。目前,我国存储芯片在各个领域的应用正处于发展的初级阶段,能够成熟相关存储芯片产品应用的企业数量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市场被韩国、日本、美国企业所占据。


  1、中国存储芯行业起步较晚,技术基础薄弱


  中国的存储芯片发展较晚。2016年之前,行业几乎没有产能,存储芯片极度依赖进口。面对外资企业在存储芯片行业的垄断优势,中国近年来开始大举投资存储芯片行业。经过几年的发展,逐渐取得了一些成绩。


  目前,中国大陆地区企业在相关领域的市场份额仍然较低,通过国家政府层面的大规模投资,有机会快速切入相关领域,是芯片国产化的可靠而重要的一步。


  存储芯片行业是一个技术密集型行业。中国存储芯片行业起步较晚,缺乏积累的技术经验。虽然我国本土的企业已经逐步完善了NAND和DRAM行业的布局,但每一款存储芯片产品还处于生产初期,尚未实现量产。与国外存储芯片厂商相比,我国存储芯片技术基础薄弱,是制约行业发展的主要因素。


  以3DNAND存储器为例,三星、海力士通过不断开发创新,改进数据存储单元结构,增加单元存储容量,开发生产了176层3DNAND。国内于2020年推出128层QLC 3D NAND闪存。可以看出,与国外领先的3D NAND企业相比,我国的存储技术与国外企业还有一定差距,我国的3D  NAND技术基础相对薄弱。


  2、中国存储芯片市场波动上升,NAND Flash和DRAM为主要产品


  在“互联网+”的背景下,智能手机的功能逐渐多样化,覆盖了许多应用领域,促使市场不断提高智能手机的存储空间要求,以满足消费者使用移动互联网的体验。2016年后,中国智能手机等消费电子应用市场的快速扩张,推动了存储芯片市场需求的快速释放。


  2014年至2019年,中国存储芯片市场规模从1274亿元增长到2697亿元,复合年增长率为16.18%。预计2020年市场规模将超过3000亿元。

2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

  目前存储芯片市场以NAND Flash和DRAM为主。2019年,中国NAND Flash产品销售额占总市场规模比重约为42%,占全球NAND Flash市场销售额37%;2019年中国DRAM产品销售额占总市场规模比重约为55%,占全球DRAM市场34%。

2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

  3、中国存储芯片市场由国外企业垄断,国内厂商奋力追赶

 

  存储芯片是一个高度垄断的市场,三星、SK海力士、美光,合计占据全球DRAM市场95%左右的份额,NAND Flash经过几十年的发展,已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。

 

  从中国存储芯片行业竞争格局来看,市场主要由国外存储芯片巨头领导,细分领域也落后于国外,但近年来国内厂商奋力追赶,已在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距。

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