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2019 - 06 - 27
1、产品概述RBRD92为一款非接触型水文雷达测量产品,具有避雷防护设计,测量河道、水文专用,标配RS485/Modbus协议,野外使用,无人值守且运行稳定可靠。无限量支持和扩展定制RTU及无线数传电台通讯协议。水位数据实时GPRS电话远传,实现信息网络化,设计极具现场适应力,破除野外生态干扰,真正实现现场零维护,工业设计理念,将产品本身融入自然环境。2、特点波束角小,能量集中,具有更强抗干扰能力,大大提高了测量精度和可靠性天线尺寸小,便于安装和加防尘罩等天线防护装置测量范围最高可达70米,覆盖大型水库等水位测量采用脉冲工作方式,雷达水位计发射功率极低,对人体及环境均无伤害仪表轻便,不受风力和暴雨的影响具有避雷保护设计、非接触水文测量,破除野外生态干扰,真正实现现场零维护野外使用,无人值守运行稳定可靠,工业设计理念,将产品本身融入自然环境。重量较轻约2KG,便于安装多种输出电路接口与采集系统配合防护等级更高3、公司信息北京精诚瑞博仪表有限公司专业生产各种物位仪表价格合理 质量过硬 服务一流咨询电话:400-6616-819
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2020 - 01 - 19
尊敬的:   新老客户您好!  根据日常维修维护的工作经验,精诚瑞博售后工程师们为大家整理了雷达液位计出现故障问题及处理方法。其出现故障大体分为四种类型:数据不变、数据突然大、数据突然为零、数据偏离实际值过大或过小且保持不变。这些故障没有根除的方法,只能是出现问题针对性的进行解决。希望能对大家有所帮助,本着先易后难的顺序归纳如下:1、断电重启  雷达液位计本身有很多防护功能,如果正常运行中雷达液位计自身出现故障保护,可进行断电重启,此时雷达液位计内部的故障有可能消除,重新上电后恢复正常。这种处理方法适用于高液位测量的储罐雷达液位计的维修。2、通过面板消除故障  如果断电重启仍然不能消除故障,要到现场实际查看故障,通过雷达液位计面板首先观察有无错误代码,有无故障保护措施,如果有通过面板清除,重启后观察雷达液位计是否正常。3、做空频谱  雷达液位计的测量原理是检测接收到的电磁波频谱,若被测液体与雷达天线之间的净空中有较强的电磁波反射或干扰,那么雷达液位计极有可能把这反射的雷达波作为真实液面的雷达反射波来处理,从而得出错误的液位显示。处理这种故障可利用雷达液位计内部的软件功能,进行空频谱的检测。设定一个高于实际液面的空高距离,让雷达液位计检测空高中的所有反射的电磁波频谱,把那些接收到的高能量的频谱电磁波在电路中屏蔽滤掉,就可把真...
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2019 - 05 - 17
我国液位仪表行业及现场仪表和关键精密测试仪器,与国际水平总体逐渐减少差距。  突破一:提高了防腐磁翻板液位计产品可靠性   现代液位仪器仪表的总体特征是高可靠性、高性能、高适用性,例如,我国自行研发的分散型控制系统DCS和电磁流量计,这些产品的基本性能和功能已接近国际水平。   突破二:提高高新技术   国外的浮球液位计已采用变频调速、新型电机、低工耗、微型压电陶瓷I/P转换器、蓝牙通信技术、智能化和现场总线等新技术,国内技术方向也正在靠近。   突破三: 提高了数字化、智能化、集成化水平   北京精诚瑞博仪表有限公司认为现代液位仪器仪表的技术特点和趋势是数字化、智能化、网络化和集成化。   突破四:产品精密度更精密   以质量磁性液位计为例,国外的测量精度分为4个档次,精度最高并能测量气体的为0.1级,最普遍的为0.15级,国内目前达到经济型的0.2级和适用型的0.5级,正在提高精密度。      突破五:需逐步扩大高档产品占有率                                   ...
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2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

发布日期: 2021-05-31
浏览人气: 543

  在国家大力支持半导体产业发展的背景下,中国半导体存储基地于2016年开始建设。随着半导体行业的快速发展,我国存储芯片的应用场景不断扩大。目前,我国存储芯片在各个领域的应用正处于发展的初级阶段,能够成熟相关存储芯片产品应用的企业数量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市场被韩国、日本、美国企业所占据。


  1、中国存储芯行业起步较晚,技术基础薄弱


  中国的存储芯片发展较晚。2016年之前,行业几乎没有产能,存储芯片极度依赖进口。面对外资企业在存储芯片行业的垄断优势,中国近年来开始大举投资存储芯片行业。经过几年的发展,逐渐取得了一些成绩。


  目前,中国大陆地区企业在相关领域的市场份额仍然较低,通过国家政府层面的大规模投资,有机会快速切入相关领域,是芯片国产化的可靠而重要的一步。


  存储芯片行业是一个技术密集型行业。中国存储芯片行业起步较晚,缺乏积累的技术经验。虽然我国本土的企业已经逐步完善了NAND和DRAM行业的布局,但每一款存储芯片产品还处于生产初期,尚未实现量产。与国外存储芯片厂商相比,我国存储芯片技术基础薄弱,是制约行业发展的主要因素。


  以3DNAND存储器为例,三星、海力士通过不断开发创新,改进数据存储单元结构,增加单元存储容量,开发生产了176层3DNAND。国内于2020年推出128层QLC 3D NAND闪存。可以看出,与国外领先的3D NAND企业相比,我国的存储技术与国外企业还有一定差距,我国的3D  NAND技术基础相对薄弱。


  2、中国存储芯片市场波动上升,NAND Flash和DRAM为主要产品


  在“互联网+”的背景下,智能手机的功能逐渐多样化,覆盖了许多应用领域,促使市场不断提高智能手机的存储空间要求,以满足消费者使用移动互联网的体验。2016年后,中国智能手机等消费电子应用市场的快速扩张,推动了存储芯片市场需求的快速释放。


  2014年至2019年,中国存储芯片市场规模从1274亿元增长到2697亿元,复合年增长率为16.18%。预计2020年市场规模将超过3000亿元。

2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

  目前存储芯片市场以NAND Flash和DRAM为主。2019年,中国NAND Flash产品销售额占总市场规模比重约为42%,占全球NAND Flash市场销售额37%;2019年中国DRAM产品销售额占总市场规模比重约为55%,占全球DRAM市场34%。

2021年中国存储芯片行业市场规模及竞争格局分析

  3、中国存储芯片市场由国外企业垄断,国内厂商奋力追赶

 

  存储芯片是一个高度垄断的市场,三星、SK海力士、美光,合计占据全球DRAM市场95%左右的份额,NAND Flash经过几十年的发展,已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。

 

  从中国存储芯片行业竞争格局来看,市场主要由国外存储芯片巨头领导,细分领域也落后于国外,但近年来国内厂商奋力追赶,已在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距。

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